POWER SEMICONDUCTORS

NS410826

800 (V)

260/112 (A)

8@8,3ms (kA)

266@8,3ms (kA2s)

0,764 (V)

0,36 (mΩ)

– 40 to 150 (°C)

0,07 (°C/W)

0,14 (°C/W)

0,03 (°C/W)

93×50 (mm)

428 Avenue Georges Durand
BP 23131
72003 Le Mans Cedex 1
FRANCE