IGBT/HVIGBT

La gamme Powerex IGBT/HVIGBT utilise la technologie CSTBT (Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor), qui permet la réduction des pertes de puissance et la miniaturisation nécessaires aux applications industrielles.

Les HVIGBT et les diodes HT de Powerex sont dotés de boîtiers hautement isolants qui offrent une protection accrue grâce à une plus grande ligne de fuite et une plus grande distance de sécurité pour de nombreuses applications exigeantes comme les entraînements à moyenne tension et les applications de traction auxiliaires.

Modules IGBT customs

Les modules customisés POWEREX répondent à vos besoins spécifiques soit:

–  En complétant la gamme des modules HVIGBT de Mitsubishi.
(Chips Mitsubishi associés différemment)

–  En apportant des solutions techniques lorsque les modules standards ne répondent pas à vos attentes en particulier dans les domaines militaire et aéronautique.

  • multichips
  • encombrement
  • connectique
  • masse
  • plage de température
  • conditions extrèmes
  • herméticité
  • Isolation renforcée

Drivers IGBT

POWEREX offre une variété de drivers IGBT pour vous simplifier le développement de vos solutions à base de modules IGBT (POWEREX et MITSUBISHI).

Le document ci-dessous fait la synthèse de ces solutions.

SiC

La technologie au Carbure de Silicium (SiC) permet de travailler à haute température (200°C) et à plus haute fréquence que le silicium donc de réduire le volume et le poids des installations. 

Elle permet également des tensions de blocage et des rendements élevés.

Nos diodes, thyristors et IGBT de puissance sont marqués du logo PRX